GP1001HC0G
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| Numero parte | GP1001HC0G |
| PNEDA Part # | GP1001HC0G |
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 50V 10A TO220AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.416 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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GP1001HC0G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GP1001HC0G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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GP1001HC0G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 35V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 640mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 35V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK |
