GI750-E3/54
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| Numero parte | GI750-E3/54 |
| PNEDA Part # | GI750-E3-54 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 6A P600 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.258 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida) |
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GI750-E3/54 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GI750-E3/54 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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GI750-E3/54 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 6A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2.5µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | P600, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | P600 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS®, SlimSMA™ Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 620mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 300µA @ 60V Capacità @ Vr, F 500pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221AC, SMA Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore DO-221AC (SlimSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
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