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GD25D10CKIGR

GD25D10CKIGR

Solo per riferimento

Numero parte GD25D10CKIGR
PNEDA Part # GD25D10CKIGR
Descrizione 1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM
Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 28.974
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GD25D10CKIGR Risorse

Brand GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGD25D10CKIGR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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GD25D10CKIGR Specifiche

ProduttoreGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Dual I/O
Frequenza di clock100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-USON (1.5x1.5)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x13)

W25Q257FVEIF TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (8x6)

MT29F128G08CECBBH1-10IT:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

128Gb (16G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VBGA (12x18)

71V321S55PF8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TQFP (14x14)

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

132-VBGA (12x18)

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