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GBU8B-E3/51

GBU8B-E3/51

Solo per riferimento

Numero parte GBU8B-E3/51
PNEDA Part # GBU8B-E3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 100V 3.9A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario
1 ---------- $10,7789
100 ---------- $10,2736
250 ---------- $9,7684
500 ---------- $9,2631
750 ---------- $8,8421
1.000 ---------- $8,4210
Disponibile 1.566
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBU8B-E3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBU8B-E3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBU8B-E3/51, GBU8B-E3/51 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 89,85 KB)
PDFGBU8A-E3/45 Datasheet Copertura
GBU8A-E3/45 Datasheet Pagina 2 GBU8A-E3/45 Datasheet Pagina 3 GBU8A-E3/45 Datasheet Pagina 4

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GBU8B-E3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)3.9A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 100V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, TS-6P

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-6P

MB05M-BP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.200", 5.08mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

MB-1

VJ647M

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Produttore

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Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Avalanche

Tensione - Picco inverso (Max)

1.1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, VJ

Pacchetto dispositivo fornitore

VJ

APTDF30H601G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

42A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 30A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

HDBL102G C1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

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