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GBU4J-5410M3/51

GBU4J-5410M3/51

Solo per riferimento

Numero parte GBU4J-5410M3/51
PNEDA Part # GBU4J-5410M3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBU4J-5410M3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBU4J-5410M3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBU4J-5410M3/51, GBU4J-5410M3/51 Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 790,49 KB)
PDFGBU4ML-7001M3/51 Datasheet Copertura
GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 2 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 3 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 4 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 5 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 6 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 7 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 8 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 9 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 10 GBU4ML-7001M3/51 Datasheet Pagina 11

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GBU4J-5410M3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tensione - Picco inverso (Max)

250V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 250V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

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Tipo di diodo

Single Phase

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Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Corrente - Media Rettificata (Io)

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

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Corrente - Perdita inversa @ Vr

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