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GBLA08HD2G

GBLA08HD2G

Solo per riferimento

Numero parte GBLA08HD2G
PNEDA Part # GBLA08HD2G
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.754
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBLA08HD2G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBLA08HD2G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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GBLA08HD2G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBL
Pacchetto dispositivo fornitoreGBL

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, BU

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Tensione - Picco inverso (Max)

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Corrente - Media Rettificata (Io)

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 150A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.57A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, KBPC-W

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione - Picco inverso (Max)

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35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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