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GBL005

GBL005

Solo per riferimento

Numero parte GBL005
PNEDA Part # GBL005
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 20.664
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBL005 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBL005
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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GBL005 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 4A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 50V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBL
Pacchetto dispositivo fornitoreGBL

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Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

GBU4KL-6437M3/51

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

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Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

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Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

KBU1003G T0G

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, KBU

Pacchetto dispositivo fornitore

KBU

DB103G

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

DB

GBPC3508W T0G

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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