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GBJ2510TB

GBJ2510TB

Solo per riferimento

Numero parte GBJ2510TB
PNEDA Part # GBJ2510TB
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Produttore SMC Diode Solutions
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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GBJ2510TB Risorse

Brand SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBJ2510TB
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBJ2510TB, GBJ2510TB Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 387,18 KB)
PDFGBJ2508TB Datasheet Copertura
GBJ2508TB Datasheet Pagina 2 GBJ2508TB Datasheet Pagina 3 GBJ2508TB Datasheet Pagina 4 GBJ2508TB Datasheet Pagina 5

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GBJ2510TB Specifiche

ProduttoreSMC Diode Solutions
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)1kV
Corrente - Media Rettificata (Io)25A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 12.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 1000V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-ESIP
Pacchetto dispositivo fornitoreGBJ

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Tipo di diodo

Single Phase

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Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

GBU1010-G

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Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

DB

GBPC5010W

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC-W

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