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GBJ2508-03-G

GBJ2508-03-G

Solo per riferimento

Numero parte GBJ2508-03-G
PNEDA Part # GBJ2508-03-G
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
Produttore Comchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBJ2508-03-G Risorse

Brand Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBJ2508-03-G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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GBJ2508-03-G Specifiche

ProduttoreComchip Technology
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)25A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 12.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBJ
Pacchetto dispositivo fornitoreGBJ

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 2A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

DBL

APT50DL120HJ

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 50A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 1200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

GBU4KL-6437E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

G2SBA80-E3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 750mA

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBL

Pacchetto dispositivo fornitore

GBL

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Produttore

Central Semiconductor Corp

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

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Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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