GB10MPS17-247
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| Numero parte | GB10MPS17-247 |
| PNEDA Part # | GB10MPS17-247 |
| Descrizione | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.692 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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GB10MPS17-247 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GB10MPS17-247 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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GB10MPS17-247 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1700V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 50A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12µA @ 1700V |
| Capacità @ Vr, F | 669pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 4A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 20µA @ 650V Capacità @ Vr, F 200pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220ACP Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
