GATELEADMPWHPK1258XXPSA1
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| Numero parte | GATELEADMPWHPK1258XXPSA1 |
| PNEDA Part # | GATELEADMPWHPK1258XXPSA1 |
| Descrizione | STD THYR/DIODEN DISC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.716 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 26 - lug 1 (Scegli Spedizione rapida) |
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GATELEADMPWHPK1258XXPSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GATELEADMPWHPK1258XXPSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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GATELEADMPWHPK1258XXPSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 80V Capacità @ Vr, F 3pF @ 0.5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0402 (1005 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore 0402/SOD-923F Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Bourns Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 20V Capacità @ Vr, F 100pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 1005 (2512 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore 1005 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 125°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
