GAP3SLT33-220FP
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| Numero parte | GAP3SLT33-220FP |
| PNEDA Part # | GAP3SLT33-220FP |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 18.708 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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GAP3SLT33-220FP Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GAP3SLT33-220FP |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
GAP3SLT33-220FP, GAP3SLT33-220FP Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 433,61 KB)
  
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GAP3SLT33-220FP Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 3300V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 300mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 300mA |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 3300V |
| Capacità @ Vr, F | 42pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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