GA50JT06-258
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Numero parte | GA50JT06-258 |
PNEDA Part # | GA50JT06-258 |
Descrizione | TRANS SJT 600V 100A |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.300 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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GA50JT06-258 Risorse
Brand | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | GA50JT06-258 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
GA50JT06-258, GA50JT06-258 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 2.651,93 KB)
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GA50JT06-258 Specifiche
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 769W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-258 |
Pacchetto / Custodia | TO-258-3, TO-258AA |
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