GA50JT06-258
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| Numero parte | GA50JT06-258 |
| PNEDA Part # | GA50JT06-258 |
| Descrizione | TRANS SJT 600V 100A |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.300 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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GA50JT06-258 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GA50JT06-258 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
GA50JT06-258, GA50JT06-258 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 2.651,93 KB)
  
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GA50JT06-258 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 769W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-258 |
| Pacchetto / Custodia | TO-258-3, TO-258AA |
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