G3SBA80L-6000E3/51
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| Numero parte | G3SBA80L-6000E3/51 |
| PNEDA Part # | G3SBA80L-6000E3-51 |
| Descrizione | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.122 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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G3SBA80L-6000E3/51 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | G3SBA80L-6000E3/51 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
G3SBA80L-6000E3/51, G3SBA80L-6000E3/51 Datasheet
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G3SBA80L-6000E3/51 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2.3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 4-SIP, GBU |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-Circular, WOG Pacchetto dispositivo fornitore WOG |
