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FZ600R12KE3HOSA1

FZ600R12KE3HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FZ600R12KE3HOSA1
PNEDA Part # FZ600R12KE3HOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1200V 600A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.644
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ600R12KE3HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ600R12KE3HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ600R12KE3HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)900A
Potenza - Max2800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 600A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce42nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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APTGF200U120DG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

275A

Potenza - Max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTGTQ50TA65T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

125W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

F3L200R07PE4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

680W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF600R12ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGT30DDA60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual Boost Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

90W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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