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FT24C08A-UTR-B

FT24C08A-UTR-B

Solo per riferimento

Numero parte FT24C08A-UTR-B
PNEDA Part # FT24C08A-UTR-B
Descrizione IC EEPROM 8K I2C 1MHZ 8TSSOP
Produttore Fremont Micro Devices Ltd
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FT24C08A-UTR-B Risorse

Brand Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFT24C08A-UTR-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
FT24C08A-UTR-B, FT24C08A-UTR-B Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 315,68 KB)
PDFFT24C04A-ETR-T Datasheet Copertura
FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 2 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 3 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 4 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 5 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 6 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 7 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 8 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 9 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 10 FT24C04A-ETR-T Datasheet Pagina 11

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FT24C08A-UTR-B Specifiche

ProduttoreFremont Micro Devices Ltd
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

125MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

MT43A4G80200NFH-S15:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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S29GL512S10TFI023

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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