FQPF6N80
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Numero parte | FQPF6N80 |
PNEDA Part # | FQPF6N80 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.884 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQPF6N80 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQPF6N80 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQPF6N80 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 1.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 51W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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