FQPF33N10L
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Numero parte | FQPF33N10L |
PNEDA Part # | FQPF33N10L |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 34.464 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQPF33N10L Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQPF33N10L |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQPF33N10L Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
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