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FQPF13N50CF

FQPF13N50CF

Solo per riferimento

Numero parte FQPF13N50CF
PNEDA Part # FQPF13N50CF
Descrizione MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 18.792
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQPF13N50CF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQPF13N50CF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FQPF13N50CF, FQPF13N50CF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 621,89 KB)
PDFFQPF13N50CF Datasheet Copertura
FQPF13N50CF Datasheet Pagina 2 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 3 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 4 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 5 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 6 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 7 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 8 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 9 FQPF13N50CF Datasheet Pagina 10

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FQPF13N50CF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieFRFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2055pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)48W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 360µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 300V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

2N7002H-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

370mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRL620S

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFB9N60A

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1018pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

CDRH124NP-100MC

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Sumida

FIXED IND 10UH 4.5A 28 MOHM SMD

CEP125NP-1R0MC-HD

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Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

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Eaton - Electronics Division

FIXED IND 4.7UH 5.5A 40 MOHM SMD

VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

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FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

7447709680

7447709680

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FIXED IND 68UH 3.2A 89 MOHM SMD

DEA202450BT-1294C1-H

DEA202450BT-1294C1-H

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FILTER BANDPASS WLAN&BLUETOOTH

BLM41PG102SN1L

BLM41PG102SN1L

Murata

FERRITE BEAD 1 KOHM 1806 1LN

2873000202

2873000202

Fair-Rite Products

FERRITE CORE MULTI-APERTURE

8121-RC

8121-RC

Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

NFE31PT222Z1E9L

NFE31PT222Z1E9L

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GQM1555C2D3R3CB01D

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250R05L0R4AV4T

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CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201