FQP55N10
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| Numero parte | FQP55N10 |
| PNEDA Part # | FQP55N10 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 |
| Prezzo unitario |
|
| Disponibile | 8.892 |
| Magazzini | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
| Pagamento |  |
| Spedizione |  |
| Consegna stimata | giu 21 - giu 26 (Scegli Spedizione rapida) |
| Garanzia | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
FQP55N10 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| Mfr. Numero di parte | FQP55N10 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FQP55N10 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2730pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 155W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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