FQI10N60CTU
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Numero parte | FQI10N60CTU |
PNEDA Part # | FQI10N60CTU |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.598 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQI10N60CTU Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQI10N60CTU |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQI10N60CTU Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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