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FQD7P06TF

FQD7P06TF

Solo per riferimento

Numero parte FQD7P06TF
PNEDA Part # FQD7P06TF
Descrizione MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.364
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 30 - lug 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQD7P06TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQD7P06TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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FQD7P06TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieQFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds295pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

CSD17573Q5BT

Texas Instruments

Produttore

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 195W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSON-CLIP (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRFZ20

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

104A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3445pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

167W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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