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FQD19N10TM_F080

FQD19N10TM_F080

Solo per riferimento

Numero parte FQD19N10TM_F080
PNEDA Part # FQD19N10TM_F080
Descrizione MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.604
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Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQD19N10TM_F080 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQD19N10TM_F080
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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FQD19N10TM_F080 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieQFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.6A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Vgs (massimo)±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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AOTF474

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 47A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3370pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta), 57.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FL

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

CSD16414Q5

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Ta), 100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

+16V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3650pF @ 12.5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSON-CLIP (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SIR624DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 7.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8

IRL7833LPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4170pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SQ4431EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1265pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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