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FP50R12KT4B11BOSA1

FP50R12KT4B11BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FP50R12KT4B11BOSA1
PNEDA Part # FP50R12KT4B11BOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1200V 50A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.938
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FP50R12KT4B11BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFP50R12KT4B11BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FP50R12KT4B11BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Potenza - Max280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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FF300R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

390A

Potenza - Max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM150GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

180A

Potenza - Max

595W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FD1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1390A

Potenza - Max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTCV50H60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGT30A170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Potenza - Max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

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