FP35R12KT4B11BOSA1
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| Numero parte | FP35R12KT4B11BOSA1 |
| PNEDA Part # | FP35R12KT4B11BOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 35A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.084 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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FP35R12KT4B11BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FP35R12KT4B11BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FP35R12KT4B11BOSA1, FP35R12KT4B11BOSA1 Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 586,31 KB)
  
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FP35R12KT4B11BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 35A |
| Potenza - Max | 210W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione 2 Independent Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 1200A Potenza - Max 1200000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 1200A Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 510A Potenza - Max 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 26nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D4 Pacchetto dispositivo fornitore D4 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 110A Potenza - Max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
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