FMP76-010T
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| Numero parte | FMP76-010T |
| PNEDA Part # | FMP76-010T |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.040 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FMP76-010T Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FMP76-010T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FMP76-010T Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | Trench™ |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 62A, 54A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 25V |
| Potenza - Max | 89W, 132W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | i4-Pac™-5 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 542pF @ 10V Potenza - Max 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-XFLGA Pacchetto dispositivo fornitore 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62) |
Produttore Renesas Electronics America Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
