FMNS-1106S
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| Numero parte | FMNS-1106S |
| PNEDA Part # | FMNS-1106S |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F |
| Produttore | Sanken |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 9.060 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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FMNS-1106S Risorse
| Brand | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FMNS-1106S |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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FMNS-1106S Specifiche
| Produttore | Sanken |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-2L |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Semtech Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-221AC, SMA Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore DO-221AC (SlimSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 33µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 301pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
