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FMM22-06PF

FMM22-06PF

Solo per riferimento

Numero parte FMM22-06PF
PNEDA Part # FMM22-06PF
Descrizione MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.786
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FMM22-06PF Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFMM22-06PF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FMM22-06PF, FMM22-06PF Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 96,03 KB)
PDFFMM22-06PF Datasheet Copertura
FMM22-06PF Datasheet Pagina 2

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FMM22-06PF Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™, PolarHT™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
Potenza - Max130W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodiai4-Pac™-5
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS i4-PAC™

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 15V

Potenza - Max

39W, 100W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 30V

Potenza - Max

58W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

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Potenza - Max

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