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FMG4AT148

FMG4AT148

Solo per riferimento

Numero parte FMG4AT148
PNEDA Part # FMG4AT148
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FMG4AT148 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFMG4AT148
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
FMG4AT148, FMG4AT148 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.293,67 KB)
PDFEMG4T2R Datasheet Copertura
EMG4T2R Datasheet Pagina 2 EMG4T2R Datasheet Pagina 3 EMG4T2R Datasheet Pagina 4 EMG4T2R Datasheet Pagina 5 EMG4T2R Datasheet Pagina 6 EMG4T2R Datasheet Pagina 7 EMG4T2R Datasheet Pagina 8 EMG4T2R Datasheet Pagina 9

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FMG4AT148 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)10kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT5

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini5-G3-B

PEMB24,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-666

PIMC31F

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

420mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

SMUN5312DW1T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

187mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms, 510Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms, 5.1kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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