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FJNS4212RBU

FJNS4212RBU

Solo per riferimento

Numero parte FJNS4212RBU
PNEDA Part # FJNS4212RBU
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.158
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FJNS4212RBU Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFJNS4212RBU
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
FJNS4212RBU, FJNS4212RBU Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 26,46 KB)
PDFFJNS4212RBU Datasheet Copertura
FJNS4212RBU Datasheet Pagina 2 FJNS4212RBU Datasheet Pagina 3

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FJNS4212RBU Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Resistenza - Base (R1)47 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione200MHz
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 Short Body
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92S

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased + Diode

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

RN1110CT(TPL3)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

50mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

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