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FJ4B01100L1

FJ4B01100L1

Solo per riferimento

Numero parte FJ4B01100L1
PNEDA Part # FJ4B01100L1
Descrizione CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.362
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
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FJ4B01100L1 Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFJ4B01100L1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FJ4B01100L1, FJ4B01100L1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 308,16 KB)
PDFFJ4B01100L1 Datasheet Copertura
FJ4B01100L1 Datasheet Pagina 2 FJ4B01100L1 Datasheet Pagina 3 FJ4B01100L1 Datasheet Pagina 4 FJ4B01100L1 Datasheet Pagina 5 FJ4B01100L1 Datasheet Pagina 6

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FJ4B01100L1 Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.2A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds459pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)360mW (Ta)
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreXLGA004-W-0808-RA01
Pacchetto / Custodia4-XFLGA, CSP

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

35W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SIS

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

DMT6010SCT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

98A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1940pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

858W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5180pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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