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FJ3P02100L

FJ3P02100L

Solo per riferimento

Numero parte FJ3P02100L
PNEDA Part # FJ3P02100L
Descrizione MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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FJ3P02100L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFJ3P02100L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FJ3P02100L, FJ3P02100L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 541,9 KB)
PDFFJ3P02100L Datasheet Copertura
FJ3P02100L Datasheet Pagina 2 FJ3P02100L Datasheet Pagina 3 FJ3P02100L Datasheet Pagina 4 FJ3P02100L Datasheet Pagina 5 FJ3P02100L Datasheet Pagina 6 FJ3P02100L Datasheet Pagina 7

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FJ3P02100L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.05V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3000pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-PMCP
Pacchetto / Custodia3-SMD, Non-Standard

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31A (Ta), 190A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6030pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DIRECTFET™ MX

Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MX

HUFA76629D3S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1285pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD6N40CTM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

268A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.65mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

163nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11600pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

480mOhm @ 6.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

218W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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