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FH102A-TR-E

FH102A-TR-E

Solo per riferimento

Numero parte FH102A-TR-E
PNEDA Part # FH102A-TR-E
Descrizione RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FH102A-TR-E Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFH102A-TR-E
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
FH102A-TR-E, FH102A-TR-E Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 509,72 KB)
PDFFH102A-TR-E Datasheet Copertura
FH102A-TR-E Datasheet Pagina 2 FH102A-TR-E Datasheet Pagina 3 FH102A-TR-E Datasheet Pagina 4 FH102A-TR-E Datasheet Pagina 5 FH102A-TR-E Datasheet Pagina 6 FH102A-TR-E Datasheet Pagina 7 FH102A-TR-E Datasheet Pagina 8

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FH102A-TR-E Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB @ 1GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max500mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 20mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-MCP

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP740E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

BFP193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12dB ~ 18dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

AT-42086-TR1G

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

9dB ~ 13dB

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-86

Pacchetto dispositivo fornitore

86 Plastic

MMBTH10

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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