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FGP30N6S2D

FGP30N6S2D

Solo per riferimento

Numero parte FGP30N6S2D
PNEDA Part # FGP30N6S2D
Descrizione IGBT 600V 45A 167W TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.102
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGP30N6S2D Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGP30N6S2D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGP30N6S2D, FGP30N6S2D Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 281,66 KB)
PDFFGB30N6S2DT Datasheet Copertura
FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 2 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 3 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 4 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 5 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 6 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 7 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 8 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 9 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 10 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 11

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FGP30N6S2D Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max167W
Switching Energy55µJ (on), 100µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge23nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C6ns/40ns
Condizione di test390V, 12A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)46ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IKFW50N60DH3EXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Potenza - Max

130W

Switching Energy

1.28mJ (on), 560µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

160nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/174ns

Condizione di test

400V, 40A, 8Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

64ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3-AI

RGTH50TK65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

26A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Potenza - Max

59W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

49nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/94ns

Condizione di test

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

IGW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Potenza - Max

110W

Switching Energy

2.7mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

85nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/520ns

Condizione di test

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-3

APT44GA60BD30

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

409µJ (on), 258µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

128nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/84ns

Condizione di test

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

APT100GN60B2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

229A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 100A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

4.7mJ (on), 2.675mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

600nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/310ns

Condizione di test

400V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Venduto di recente

WSLP1206R0500FEA

WSLP1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 1206

LM393DR

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Rohm Semiconductor

IC COMPARATOR DUAL 0.8MA 8-SOIC

LPC2388FBD144,551

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NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP

TSL2550T

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ams

SENSOR OPT 640NM AMBIENT 4SMD

SMBJ14CA

SMBJ14CA

Littelfuse

TVS DIODE 14V 23.2V DO214AA

AD8031ARZ

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Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC

20CTQ045

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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CG0603MLC-05LE

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VARISTOR 0603

MLX90614ESF-DCI-000-SP

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SENSOR DGTL -40C-85C TO39

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

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DIODE GP 200V 1A DO214AA

B39162B4300F210

B39162B4300F210

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FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD