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FGP30N6S2D

FGP30N6S2D

Solo per riferimento

Numero parte FGP30N6S2D
PNEDA Part # FGP30N6S2D
Descrizione IGBT 600V 45A 167W TO220AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.102
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGP30N6S2D Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGP30N6S2D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGP30N6S2D, FGP30N6S2D Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 281,66 KB)
PDFFGB30N6S2DT Datasheet Copertura
FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 2 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 3 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 4 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 5 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 6 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 7 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 8 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 9 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 10 FGB30N6S2DT Datasheet Pagina 11

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FGP30N6S2D Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max167W
Switching Energy55µJ (on), 100µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge23nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C6ns/40ns
Condizione di test390V, 12A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)46ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

9.6mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/450ns

Condizione di test

960V, 25A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXSH)

IKZ50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

273W

Switching Energy

410µJ (on), 190µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

109nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/250ns

Condizione di test

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

53ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO247-4

ISL9V5036S3ST_SB82026C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/10.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

APT44GA60BD30

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Potenza - Max

337W

Switching Energy

409µJ (on), 258µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

128nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/84ns

Condizione di test

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

Venduto di recente

TNY290PG

TNY290PG

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