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FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

Solo per riferimento

Numero parte FGD3N60LSDTM-T
PNEDA Part # FGD3N60LSDTM-T
Descrizione INTEGRATED CIRCUIT
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.886
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGD3N60LSDTM-T Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGD3N60LSDTM-T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGD3N60LSDTM-T, FGD3N60LSDTM-T Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 886,28 KB)
PDFFGD3N60LSDTM-T Datasheet Copertura
FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 2 FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 3 FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 4 FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 5 FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 6 FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 7 FGD3N60LSDTM-T Datasheet Pagina 8

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FGD3N60LSDTM-T Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 10V, 3A
Potenza - Max40W
Switching Energy250µJ (on), 1mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge12.5nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C40ns/600ns
Condizione di test480V, 3A, 470Ohm, 10V
Tempo di recupero inverso (trr)234ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Potenza - Max

94W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

21nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/33ns

Condizione di test

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

310A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

840A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 140A

Potenza - Max

1630W

Switching Energy

4.3mJ (on), 4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

330nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/145ns

Condizione di test

450V, 100A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.96V @ 15V, 120A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

36ns/112ns

Condizione di test

196V, 25A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 12V, 14A

Potenza - Max

83W

Switching Energy

38µJ (on), 130µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.3nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

4.3ns/36ns

Condizione di test

400V, 5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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TO-220-3

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

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