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FGB30N6S2T

FGB30N6S2T

Solo per riferimento

Numero parte FGB30N6S2T
PNEDA Part # FGB30N6S2T
Descrizione IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.302
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGB30N6S2T Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGB30N6S2T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGB30N6S2T, FGB30N6S2T Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 173,7 KB)
PDFFGB30N6S2 Datasheet Copertura
FGB30N6S2 Datasheet Pagina 2 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 3 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 4 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 5 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 6 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 7 FGB30N6S2 Datasheet Pagina 8

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FGB30N6S2T Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Potenza - Max167W
Switching Energy55µJ (on), 110µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge23nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C6ns/40ns
Condizione di test390V, 12A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14.7A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Potenza - Max

35.7W

Switching Energy

570µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

87nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/188ns

Condizione di test

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

34ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

14A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

590µJ (on), 180µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/220ns

Condizione di test

850V, 6A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

167W

Switching Energy

200µJ (on), 130µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

116nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

38ns/149ns

Condizione di test

400V, 20A, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

26.9A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.2V @ 4V, 6A

Potenza - Max

166W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

1µs/5.3µs

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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Temperatura di esercizio

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