FGB20N6S2
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| Numero parte | FGB20N6S2 |
| PNEDA Part # | FGB20N6S2 |
| Descrizione | IGBT 600V 28A 125W TO263AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.856 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGB20N6S2 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGB20N6S2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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FGB20N6S2 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 600V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 28A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Potenza - Max | 125W |
| Switching Energy | 25µJ (on), 58µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 30nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 7.7ns/87ns |
| Condizione di test | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Potenza - Max 160W Switching Energy 710µJ (on), 350µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 54ns/110ns Condizione di test 480V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 42ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
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