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FGA40T65UQDF

FGA40T65UQDF

Solo per riferimento

Numero parte FGA40T65UQDF
PNEDA Part # FGA40T65UQDF
Descrizione IGBT 650V 80A 231W TO3PN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.616
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGA40T65UQDF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGA40T65UQDF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGA40T65UQDF, FGA40T65UQDF Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 849,68 KB)
PDFFGA40T65UQDF Datasheet Copertura
FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 2 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 3 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 4 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 5 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 6 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 7 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 8 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 9 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 10 FGA40T65UQDF Datasheet Pagina 11

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FGA40T65UQDF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.67V @ 15V, 40A
Potenza - Max231W
Switching Energy989µJ (on), 310µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge306nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C32ns/271ns
Condizione di test400V, 40A, 6Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)89ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

19A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

320µJ (on), 2.58mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

62ns/690ns

Condizione di test

480V, 10A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

NGTB40N120SWG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

535W

Switching Energy

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

313nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

116ns/286ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

240ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

MGB15N40CLT4

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4µs

Condizione di test

300V, 6.5A, 1kOhm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IGB50N65S5ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

270W

Switching Energy

1.23mJ (on), 740µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/139ns

Condizione di test

400V, 50A, 8.2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

STGP19NC60SD

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 12A

Potenza - Max

130W

Switching Energy

135µJ (on), 815µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

54.5nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17.5ns/175ns

Condizione di test

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

31ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

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