FGA25N120ANTDTU-F109
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| Numero parte | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| PNEDA Part # | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| Descrizione | IGBT 1200V 50A 312W TO3P |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.600 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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FGA25N120ANTDTU-F109 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
FGA25N120ANTDTU-F109, FGA25N120ANTDTU-F109 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.382,87 KB)
  
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FGA25N120ANTDTU-F109 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT and Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 312W |
| Switching Energy | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 200nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/190ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 350ns |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
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