FF450R12ME4BOSA1
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| Numero parte | FF450R12ME4BOSA1 |
| PNEDA Part # | FF450R12ME4BOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE 1200V 450A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.208 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF450R12ME4BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF450R12ME4BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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FF450R12ME4BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 675A |
| Potenza - Max | 2250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 450A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 3mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Configurazione - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Potenza - Max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Corrente - Taglio collettore (Max) - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input - Termistore NTC - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 200A Potenza - Max 961W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 350µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 10.2nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 182A Potenza - Max 892W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max) 120µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce - Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore ECONO3 4PACK |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Asymmetrical Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 110A Potenza - Max 416W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 90A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
