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FF1N30HS60DD

FF1N30HS60DD

Solo per riferimento

Numero parte FF1N30HS60DD
PNEDA Part # FF1N30HS60DD
Descrizione DIODE MODULE 600V 30A SOT227
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF1N30HS60DD Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF1N30HS60DD
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
FF1N30HS60DD, FF1N30HS60DD Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 163,02 KB)
PDFFF1N30HS60DD Datasheet Copertura
FF1N30HS60DD Datasheet Pagina 2 FF1N30HS60DD Datasheet Pagina 3 FF1N30HS60DD Datasheet Pagina 4 FF1N30HS60DD Datasheet Pagina 5 FF1N30HS60DD Datasheet Pagina 6

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FF1N30HS60DD Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieStealth™
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.4V @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)45ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

18A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

670mV @ 100A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 50V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Configurazione diodi

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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