FF11MR12W1M1B11BOMA1
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Numero parte | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
PNEDA Part # | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
Descrizione | MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.316 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
FF11MR12W1M1B11BOMA1, FF11MR12W1M1B11BOMA1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 476,59 KB)
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolSiC™+ |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 800V |
Potenza - Max | - |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / Custodia | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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