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FF1000R17IE4S4BOSA2

FF1000R17IE4S4BOSA2

Solo per riferimento

Numero parte FF1000R17IE4S4BOSA2
PNEDA Part # FF1000R17IE4S4BOSA2
Descrizione MOD IGBT 1700V PRIME3-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.652
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF1000R17IE4S4BOSA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF1000R17IE4S4BOSA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FF1000R17IE4S4BOSA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SeriePrimePACK™3
Tipo IGBT-
Configurazione2 Independent
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1390A
Potenza - Max6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 1000A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce81pF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreAG-PRIME3-1

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR ECO 2™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR ECO 2™

APT50GP60J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

VS-40MT120UHTAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

463W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.91V @ 15V, 80A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.28nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

12-MTP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

MTP

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Potenza - Max

515W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E3

Pacchetto dispositivo fornitore

E3

IRG5K150HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

1060W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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