FESB16FTHE3/81
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| Numero parte | FESB16FTHE3/81 |
| PNEDA Part # | FESB16FTHE3-81 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.844 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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FESB16FTHE3/81 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FESB16FTHE3/81 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
FESB16FTHE3/81, FESB16FTHE3/81 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 141,41 KB)
  
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FESB16FTHE3/81 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 300V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 16A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 16A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 300V |
| Capacità @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 200ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 30mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 370mV @ 1mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 30V Capacità @ Vr, F 2.5pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-523 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 560mV @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 2.2ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 30V Capacità @ Vr, F 6pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-882 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-882 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AC, DO-15, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AC (DO-15) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 11A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 650V Capacità @ Vr, F 181pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore D-PAK (TO-252) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
