FDS8949
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| Numero parte | FDS8949 |
| PNEDA Part # | FDS8949 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 116.604 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDS8949 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDS8949 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDS8949 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 20V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1635pF @ 30V Potenza - Max 1.9W (Ta), 16W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3) |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC, 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF, 1250pF @ 15V Potenza - Max 3W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSOP |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore TSMT6 (SC-95) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 10V Potenza - Max 800mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore 6-MCPH |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 30V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
