FDS6993
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| Numero parte | FDS6993 |
| PNEDA Part # | FDS6993 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V/12V 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.092 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDS6993 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDS6993 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDS6993 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V, 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A, 6.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 15V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie - Tipo FET 4 P-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 14-PDIP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V Potenza - Max 295mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore 6-CSP (1.77x3.54) |
