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FDN338P_G

FDN338P_G

Solo per riferimento

Numero parte FDN338P_G
PNEDA Part # FDN338P_G
Descrizione INTEGRATED CIRCUIT
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.310
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDN338P_G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDN338P_G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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FDN338P_G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds451pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5.5A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 480V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

65W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FDS6612A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STW60N65M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6810pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

255W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

C2M0045170D

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

C2M™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

72A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 18mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 20V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3672pF @ 1kV

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

195A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

279nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10034pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

294W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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