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FDMS86580-F085

FDMS86580-F085

Solo per riferimento

Numero parte FDMS86580-F085
PNEDA Part # FDMS86580-F085
Descrizione MOSFET N-CH 60V 50A POWER56
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.698
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS86580-F085 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS86580-F085
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMS86580-F085, FDMS86580-F085 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 2.337,93 KB)
PDFFDMS86580-F085 Datasheet Copertura
FDMS86580-F085 Datasheet Pagina 2 FDMS86580-F085 Datasheet Pagina 3 FDMS86580-F085 Datasheet Pagina 4 FDMS86580-F085 Datasheet Pagina 5 FDMS86580-F085 Datasheet Pagina 6

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FDMS86580-F085 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1430pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tj)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePower56
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta), 20W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DL

Pacchetto / Custodia

TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 230µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK6R7P06PL,RQ

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

66W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF4104LPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

140W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tensione Drain to Source (Vdss)

350V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 150mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

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