FDMS3668S
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| Numero parte | FDMS3668S |
| PNEDA Part # | FDMS3668S |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.380 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS3668S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS3668S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMS3668S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 18A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.1A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V Potenza - Max 4.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ |
