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FDMD8280

FDMD8280

Solo per riferimento

Numero parte FDMD8280
PNEDA Part # FDMD8280
Descrizione MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.646
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMD8280 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMD8280
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMD8280, FDMD8280 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 635,09 KB)
PDFFDMD8280 Datasheet Copertura
FDMD8280 Datasheet Pagina 2 FDMD8280 Datasheet Pagina 3 FDMD8280 Datasheet Pagina 4 FDMD8280 Datasheet Pagina 5 FDMD8280 Datasheet Pagina 6 FDMD8280 Datasheet Pagina 7 FDMD8280 Datasheet Pagina 8 FDMD8280 Datasheet Pagina 9

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FDMD8280 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3050pF @ 40V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia12-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore12-Power3.3x5

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 10V

Potenza - Max

620mW

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TDFN (2x2)

EM6K31T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

SSM6N61NU,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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DMN2040LTS-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 10V

Potenza - Max

890mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Diodes Incorporated

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

536pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

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